應(yīng) 用：半導(dǎo)體集成電路及器件的擴(kuò)散、氧化、合金、退火等工藝 

工 藝：擴(kuò)散（硼擴(kuò)散、磷擴(kuò)散等），氧化（干氧氧化、濕氧氧化-去離子水氧化、氫氧合成氧化等），退火，合金等等 

結(jié) 構(gòu)：水平結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu) 

晶圓規(guī)格：4"、5"、6"、8";

太陽(yáng)能電池為125×125、156×156 

工藝管數(shù)：水平結(jié)構(gòu)為1-4管，垂直結(jié)構(gòu)為1管 

產(chǎn)品類(lèi)型：生產(chǎn)型，科研型（R&D-小型） 

產(chǎn)品等級(jí)：普通級(jí)（一般性的科研與生產(chǎn)） 

標(biāo)準(zhǔn)級(jí)（國(guó)際通行技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)及質(zhì)量等級(jí)，如IC制造等） 

系統(tǒng)組成：主機(jī)（FURNACE）、氣源柜（GAS/SOURCE CABINET）、 工作臺(tái)（LOADSTATION-自動(dòng)送片/凈化）、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) 

設(shè)備可配套提供典型的工藝及配套解決方案

擴(kuò)散/氧化爐系統(tǒng)的主要技術(shù)指標(biāo)

爐管配置：1-4管/臺(tái)

晶圓規(guī)格：4"、5"、6"、8"

爐體控制段：3/5段

恒溫區(qū)長(zhǎng)：760（800）mm / 1000mm

反應(yīng)室配置：石英管/碳化硅管

加熱體材料：KANTHAL APM/A-1 或相當(dāng)

溫度均勻性：800-1300℃ /±0.5℃

300-900℃ /±1℃

工藝溫度范圍：300-1300℃

可控升溫速度：15-20℃/min

降溫速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min

控制系統(tǒng)：工業(yè)計(jì)算機(jī)(10"-15"液晶屏)

送片系統(tǒng)：SiC懸臂/雙石英桿

凈化等級(jí)：100級(jí)或更好

凈化風(fēng)流：水平或垂直

送片速度：100mm-500mm/min

定位精度：2mm

氣源氣路：EP級(jí)316L管道1/4"或3/8"

閥門(mén)組件：SWAGELOK或相當(dāng)

管道焊接：自動(dòng)軌道焊接

工藝保證：提供典型的工藝